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石墨烯透明导电膜发展至今所面临的挑战（一）
2020-07-20
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石墨烯透明导电膜发展至今所面临的挑战（一）
虽然石墨烯在理论上具有优异的导电性，但目前量产的单层石墨烯方块电阻一般高于150 Ω/□，该性能仅能应用于中小尺寸触控屏。这主要是由于目前所能制备的大面积单层石墨烯为多晶薄膜，其晶界的电子散射导致电学性能下降。未来可通过优化化学气相沉积工艺，降低成核密度以增加石墨烯晶畴尺寸，并结合晶界掺杂和改性技术，提升其导电性。预计单层石墨烯的方块电阻可在未来三年内降低至50 Ω/□，优于具有同等光学透过率的ITO 薄膜。
2、图案化
在传统电容触控屏的图案化制程中，用低成本的酸性刻蚀膏和溶液可快速批量进行ITO 刻蚀。然而，石墨烯具有很好的化学稳定性，耐强酸强碱腐蚀，因此采用酸和碱难以对石墨烯实现腐蚀和图案化。近年来，行业中陆续发展了激光刻蚀、氧等离子刻蚀、氧紫外线刻蚀、中性离子束刻蚀等，可初步根据用户不同结构触控屏的生产线进行配置。例如，激光刻蚀法进行石墨烯刻蚀，可利用现有GFF 触控屏生产线装备，实现10 微米量级的石墨烯图形，在一定程度上满足生产的需求。
以上就是小编对于石墨烯透明导电膜导电性和图案化问题的分析，主要是以上的部分，希望对大家有所帮助。
在前面的文章中，小编已经是石墨烯透明导电膜发展至今的发展现状，其实，石墨烯透明导电膜的研究生产中，也是遇到了很多的挑战，这也是大家在一步步的研究和市场利弊分析中所得到的。接下来，小编还是要详细和大家说下石墨烯透明导电膜发展至今所面临的挑战吧。
虽然石墨烯在理论上具有优异的导电性，但目前量产的单层石墨烯方块电阻一般高于150 Ω/□，该性能仅能应用于中小尺寸触控屏。这主要是由于目前所能制备的大面积单层石墨烯为多晶薄膜，其晶界的电子散射导致电学性能下降。未来可通过优化化学气相沉积工艺，降低成核密度以增加石墨烯晶畴尺寸，并结合晶界掺杂和改性技术，提升其导电性。预计单层石墨烯的方块电阻可在未来三年内降低至50 Ω/□，优于具有同等光学透过率的ITO 薄膜。
2、图案化
在传统电容触控屏的图案化制程中，用低成本的酸性刻蚀膏和溶液可快速批量进行ITO 刻蚀。然而，石墨烯具有很好的化学稳定性，耐强酸强碱腐蚀，因此采用酸和碱难以对石墨烯实现腐蚀和图案化。近年来，行业中陆续发展了激光刻蚀、氧等离子刻蚀、氧紫外线刻蚀、中性离子束刻蚀等，可初步根据用户不同结构触控屏的生产线进行配置。例如，激光刻蚀法进行石墨烯刻蚀，可利用现有GFF 触控屏生产线装备，实现10 微米量级的石墨烯图形，在一定程度上满足生产的需求。
以上就是小编对于石墨烯透明导电膜导电性和图案化问题的分析，主要是以上的部分，希望对大家有所帮助。
